技术简介

针对人工智能、大数据快速发展的需求，通过硅桥埋入技术，克服了TSV转接板尺寸限制以及Fan out扇出封装RDL工艺微米级金属互连的限制，大幅提升了芯片之间的互联带宽和性能，是一种兼顾成本与高密度集成的新型封装方式。

技术指标

1.Megal Pillar尺寸/间距：70-100 μm/150-250μm；

2.多芯片异构集成能力：支持逻辑芯片、存储器、射频模块等混搭；

3.埋入硅桥颗数：4颗；

4.硅桥线宽/线距及厚度：≤1μm L/S和≤50μm；

5.封装尺寸：2X Reticle。

成果图示