技术简介

 针对高性能计算、人工智能、数据中心等高端应用的需求，开发了D2W混合键合与异质集成技术。通过芯片到晶圆间无凸点直接互连的方法，增大互连密度、提高信号传输速度和降低功耗，实现不同材质、功能、尺寸的芯片集成。

技术指标

1.键合Pad尺寸/间距：≤3/3μm；

2.对准精度：≤200nm；

3.键合层数≥3层，单层厚度≤50μm；

4.键合温度：≤250℃。

成果图示