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Via-last TSV技术

2025/07/03

技术简介

面向MEMSCIS等传感器需求,在晶圆背面打通TSV孔并实现互连,可以在不改变现有晶圆结构情况下,实现三维堆叠。本案例用于CTX射线光子计数器,代替原先的打线方案后,单颗芯片面积减小20%,可以提高探测器阵列密度,提升图像质量。


技术指标

1.单颗芯片尺寸:8mm×8mm;

2.TSV尺寸:60×100μm;

3.最高工作电压:30V。


成果图示

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